M31円星科技eUSB2 PHY IP台积电2nm制程设计定案,3nm节点已完成硅验证

半导体IP领域的创新企业M31円星科技近日宣布了一项重要进展。据悉,该公司的eUSB2 PHY IP在台积电的2nm制程节点上已成功完成设计定案,而针对3nm节点的版本也已经顺利通过了硅验证。
eUSB2作为USB 2.0面向嵌入式应用的物理层修订版本,其设计充分考虑了先进工艺节点对电压的更低耐受性,因此在信号电压上进行了调整,同时优化了能效表现。USB-IF还推出了eUSB2的改进版v2,将传输速度上限提升至接近USB 3.2 Gen 1的4.8 Gbps。
M31円星科技表示,其eUSB2 IP解决方案凭借其出色的性能和稳定性,已经赢得了多家全球领先的智能手机芯片制造商和AI图像处理应用企业的青睐,并被广泛应用于他们的产品中。
不仅如此,M31円星科技还在积极推进eUSB2V2 IP的开发工作,并着手布局台积电的N3与N2制程技术。此举旨在进一步扩展和完善其eUSB2解决方案平台,以满足市场对高性能、低功耗USB接口日益增长的需求。
随着半导体技术的不断进步和智能设备的广泛应用,USB接口作为数据传输和充电的重要接口标准,其性能和稳定性对于用户体验至关重要。M31円星科技此次在eUSB2 IP方面的突破,无疑将为市场带来更多高性能、低功耗的USB解决方案,推动整个行业的发展。
未来,随着更多先进制程技术的引入和应用,M31円星科技将继续发挥其在半导体IP领域的专业优势,为市场带来更多创新、高效的解决方案。
本文链接:http://knowith.com/news-1-10413.htmlM31円星科技eUSB2 PHY IP台积电2nm制程设计定案,3nm节点已完成硅验证
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